80056-20: Helios G4 PFIB Uxe Микроскоп электронно-ионный сканирующий - Производители, поставщики и поверители

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe

Номер в ГРСИ РФ: 80056-20
Категория: Микроскопы
Производитель / заявитель: Фирма "Thermo Fisher Scientific", США
Скачать
80056-20: Описание типа СИ Скачать 329.1 КБ
80056-20: Методика поверки Скачать 1.3 MБ
Заказать
Поставщик: ООО "КОЛБА"
Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB Uxe поверка на: www.ktopoverit.ru
КтоПоверит
Онлайн-сервис метрологических услуг

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.

Информация по Госреестру

Основные данные
Номер по Госреестру 80056-20
Наименование Микроскоп электронно-ионный сканирующий
Модель Helios G4 PFIB Uxe
Страна-производитель СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ
Срок свидетельства (Или заводской номер) 9950518
Производитель / Заявитель

Фирма Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США

СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ

Поверка

Межповерочный интервал / Периодичность поверки 1 год
Зарегистрировано поверок 3
Найдено поверителей 1
Успешных поверок (СИ пригодно) 3 (100%)
Неуспешных поверок (СИ непригодно) 0 (0%)
Актуальность информации 14.04.2024

Поверители

Скачать

80056-20: Описание типа СИ Скачать 329.1 КБ
80056-20: Методика поверки Скачать 1.3 MБ

Описание типа

Назначение

Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.

Описание

Принцип действия микроскопа основан на совместном использовании сфокусированного электронного пучка для визуализации и измерения характерных размеров элементов поверхностного рельефа и сфокусированного пучка ионов Xe для локального контролируемого травления поверхности твердотельных объектов по заданной программе. Формирование изображения в микроскопе происходит за счет модуляции яркости соответствующей точки монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных или обратноотраженных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.

Микроскоп может работать в следующих режимах:

- вторичной электронной эмиссии;

-детектирования обратно отраженных электронов,

- сканирующей просвечивающей электронной микроскопии, в том числе темнопольном и светлопольном режимах;

-дифракции обратно-рассеянных электронов,

-картирования элементного состава, в том числе объемного с использованием послойного травления образца ионами Xe.

Для повышения разрешения в микроскопе предусмотрена магнитная иммерсионная линза, используемая с детектором электронов установленным внутри электронной колонны, за полюсным наконечником. Так же, есть возможность подавать дополнительный потенциал на столик в пределах от -4 кВ до 50 В.

Конструктивно микроскоп выполнен в напольном варианте и состоит из основного блока, стойки электроники, рабочего стола с управляющим компьютером и отдельно стоящих форвакуумного насоса, чиллера и компрессора. Основной блок включает электроннооптическую систему (колонну) с полевым катодом типа Шоттки с монохроматором, ионную колонну с плазменным источником ионов Xe, камеру образцов с механизмом их перемещения на основе предметного столика с пьезоприводом, детекторы вторичных, отраженных и прошедших электронов, вакуумную систему на основе безмасляных турбомолекулярного и магниторазрядного насосов, блок электроники, энергодисперсионный спектрометр EDAX Octane Elite Super, систему анализа дифракции отраженных электронов на основе EBSD системы EDAX Hikari Plus, манипулятор EasyLift Nanomanipulator, встроенный в камеру образцов, систему впрыска газов для осаждения Pt, W и C. Вакуумная камера оборудована системой плазменной очистки образцов и содержимого камеры от углеводородных загрязнений.

Пломбирование микроскопа не предусмотрено. Общий вид микроскопа и место нанесения знака поверки приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 - Общий вид микроскопа электронно-ионного сканирующего Helios G4 PFIB

UXe

Место нанесения знака поверки

Программное обеспечение

Управление микроскопом и обработка результатов измерений осуществляется с помощью ПЭВМ с использованием специализированного программного обеспечения (ПО) «XT UI». ПО «XT UI» позволяет проводить измерения линейных размеров элементов рельефа по осям X и Y. ПО «XT UI» не может быть использовано отдельно от микроскопа.

Идентификационные данные программного обеспечения указаны в таблице 1.

Таблица 1

Идентификационное наименование ПО

XT UI

Номер версии (идентификационный номер) ПО

14.5.0.3707

Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма исполняемого кода)

-

Алгоритм вычисления цифрового идентификатора ПО

-

Уровень защиты ПО соответствует типу «средний» согласно Р 50.2.077-2014.

Технические характеристики

Таблица 2 - Метрологические характеристики

Наименование характеристики

Значение

Диапазон измерений линейных размеров, мкм

от 0,005 до 1000

Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений линейных размеров, нм (L- линейный размер, нм)

±(1+0,04 <L)

Пространственное разрешение для электронной колонны в режиме вторичной эмиссии при ускоряющем напряжении 15 кВ, нм, не более

0,6

Энергетическое разрешение энергодисперсионного спектрометра на линии Ka марганца,эВ, не более

125

Таблица 3 - Основные технические характеристики

Наименование характеристики

Значение

Диапазон регулирования увеличения, крат

от 30 до 1000000

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения для электронной пушки, кэВ

от 0,35 до 30

Разброс энергий электронов пучка от установленного значения после монохроматора, эВ, не более

0,2

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения для ионной пушки, кэВ

от 0,5 до 30

Диапазон значений токов электронного пучка, нА

от 0,0008 до 100

Диапазон значений токов ионного пучка, нА

от 0,001 до 2500

Максимальный размер изображения, пикселей

6144x4096

Минимальный шаг перемещения иглы микроманипулятора, нм, не более

50

Активная площадь детектора энергодисперсионного спектрометра, мм

70

Диапазон определяемых элементов

от С до Am

Максимальная скорость счета импульсов энергодисперсионного спектрометра, импульсов/сек

1600000

Масса, включая все комплектующие, кг, не более

1150

Габаритные размеры основных составных частей (ДхШхВ), мм, не более:

- основной блок

- стойка электроники;

- рабочий стол с управляющим компьютером

- форвакуумный насос

1185x1332x1907 660x1055x1949 1300x800x1200 730x500x700

Условия эксплуатации:

- температура окружающей среды, °С

-относительная влажность воздуха, %, не более

от +18 до +22 80

Напряжение питания от однофазной сети переменного тока частотой 50/60 Гц, В

от 110 до 240

Потребляемая мощность, не более, Вт

3500

Знак утверждения типа

наносится на лицевую панель основного блока микроскопа в виде наклейки, и на титульный лист эксплуатационной документации типографским способом.

Комплектность

Т аблица 4 - Комплектность средства измерений

Наименование

Обозначение

Количество

Микроскоп электронноионный сканирующий

Helios G4 PFIB UXe

1 шт.

Руководство по эксплуатации

-

1 экз.

Методика поверки

-

1 экз.

Поверка

осуществляется по документу МП 80056-20 «ГСИ. Микроскоп электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe. Методика поверки», утвержденному АО «НИЦПВ» 18 марта 2020 г.

Основные средства поверки:

-мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К (рег. №33598-06);

- мера длины концевая плоскопараллельная номинальным значением 1 мм 3-го разряда согласно Государственной поверочной схеме (Приказ Росстандарта от 29.12.2018 №2840);

- стандартный образец состава марганца металлического типа Мн95 (Ф5) ГСО 1095-90П.

Допускается применение аналогичных средств поверки, обеспечивающих определение метрологических характеристик поверяемого микроскопа с требуемой точностью.

Знак поверки наносится на лицевую панель основного блока микроскопа в виде наклейки, как показано на рисунке 1 и на свидетельство о поверке.

Сведения о методах измерений

приведены в эксплуатационной документации.

Нормативные документы

Техническая документация фирмы Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США

Другие Микроскопы

80322-20
Quattro S ESEM Микроскоп электронный сканирующий
Фирма Thermo Fisher Scientific Electron Microscopy, США
Микроскоп электронный сканирующий Quattro S ESEM (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности различных твердотельных объектов, в том числе биологических в режиме сверхнизкого вакуума ест...
12129-20
Микроскопы инструментальные ИМЦЛ 100×50, А
Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод" (АО "НПЗ"), г. Новосибирск
Микроскопы инструментальные ИМЦЛ 100x50, А (далее - микроскопы) предназначены для измерения линейных и угловых размеров изделий в прямоугольных и полярных координатах.
Микроскопы электронные просвечивающие Talos F200 (далее - микроскопы) предназначены для измерений линейных размеров элементов микро- и наноструктур тонкопленочных образцов, микро- и наночастиц на пленке-подложке, определения параметров кристаллическо...
Микроскоп конфокальный лазерный сканирующий VL2000DX (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов рельефа по осям Х, Y и Z и обеспечения трехмерной визуализации поверхности твердотельных объектов.
81342-21
Quattro S Микроскоп электронный сканирующий
"Thermo Fisher Scientific Brno s.r.o.", Чешская Республика
Микроскоп электронный сканирующий Quattro S (далее - микроскоп Quattro S) предназначен для измерений линейных размеров, формы и ориентации наноструктур и микрорельефа поверхностей различных объектов.