Оборудование в госреестре Фирма "FEI Company", США

Микроскоп электронно-ионный растровый измерительный Helios NanoLab 650 (далее -микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и структур, проведения локальной стру...

Система микроскопической инспекции FEI Helios G4 CX (далее - система) предназначена для измерений линейных размеров в плоскости XY нано- и микроструктур поверхностей различных объектов.

Микроскоп электронно-ионный растровый Scios (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и структур и проведения локальной структурной модификации поверхности т...

Микроскоп электронный просвечивающий TITAN 80-300 (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и наноструктур тонкопленочных образцов, а также суспензий микро- и наночастиц, нанесенных на полимерную или углеродную...

Микроскоп электронно-ионный растровый Helios NanoLab 650 (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и структур и проведения локальной структурной моди...

Микроскоп электронный сканирующий Inspect S50, (далее - микроскоп Inspect S50) предназначен для измерений линейных размеров, формы, ориентации и других параметров наноструктур и микрорельефа поверхностей различных объектов.

Микроскоп электронный сканирующий Verios 460 XYR SEM с системами для энергодисперсионного микроанализа и анализа обратно-рассеянных электронов (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов микрорельефа, электроннозондо-во...

Для измерений геометрических расстояний и размеров элементов микро- и ультраструктуры тонкопленочных образцов (ультратонких срезов ткани, залитой в полимер, и суспензий микрочастиц (вплоть до наноразмерных), нанесенных на полимерную пленку-подложку)....

Для воспроизведения высокостабильных по частоте спектрально чистых синусоидальных сигналов 10 МГц и применяются при проведении высокоточных измерений времени и частоты.

Для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.